一种半导体薄膜气体传感器

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摘要

本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜；所述半导体薄膜表面设置有电极；所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源，所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜，可以提高灵敏度，从而避免了高温加热，功耗更低、更为稳定，其可以检测氧气和甲烷，而现有SnO₂纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差。

基本信息

专利标题：

一种半导体薄膜气体传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020972878.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-01

授权号：

CN212658657U

授权日：

2021-03-05

发明人：

黄辉渠波

申请人：

黄辉;渠波

申请人地址：

辽宁省大连市高新区凌工路2号创新园大厦A1226室

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司

代理人：

朱黎光

优先权：

CN202020972878.2

主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

G01N27/12