一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构
授权
摘要
本实用新型的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，包括硅基板，硅基板一侧设有向内凹陷的凹槽和若干个均匀分布的BGA引脚，凹槽内设有FC芯片，硅基板远离FC芯片的一侧贴装有WB芯片和SMT器件，硅基板内设有相贯通的通孔，通孔内填充有导电材料，WB芯片和SMT器件均通过通孔与BGA引脚导通，硅基板上贴装有WB芯片和SMT器件的一侧覆盖有注塑层。结合塑料封装与硅基板的特性，硅基板在引脚侧进行挖腔，放置FC芯片；并在另外一侧进行注塑以保护其他器件；既减小封装尺寸，又同时可兼顾两种封装的优点，实现高速高密，可多环境使用。保证了在芯片厚度较厚时也可以将芯片放置在引脚侧，避免芯片对引脚使用的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020855979.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN212033001U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
胡孝伟代文亮郭玉馨
申请人 ：
上海芯波电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室
代理机构 ：
上海乐泓专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王瑞
优先权 ：
CN202020855979.1
主分类号 ：
H01L23/055
IPC分类号 ：
H01L23/055 H01L23/31 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/053
中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
H01L23/055
引线经过基座的
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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