一种TFT玻璃薄膜层沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种TFT玻璃薄膜层沉积装置，包括沉积源、沉积源喷嘴、连接构件、图案化缝隙片、基底、U型管、滑轨、驱动机构和电动伸缩杆，所述沉积源和图案化缝隙片之间通过框形的连接构件相连接，所述沉积源与沉积源喷嘴相连接，所述沉积源喷嘴位于图案化缝隙片的下方，所述连接构件的两侧固定连接有滑轨，所述基底的上表面铺设有多根平行排列的U型管。通过流体控温系统向U型管中通入一定温度的流体，实现对基底的控温；能够扩大TFT玻璃薄膜的最终成型面积，适用大尺寸TFT玻璃薄膜的生产；且在移动过程中配合流体控温系统使用，对移出图案化缝隙片所在区域且初步成型的TFT玻璃薄膜，极速降温，便于薄膜脱离基底和成型。
基本信息
专利标题 ：
一种TFT玻璃薄膜层沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020792130.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN212451632U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
程言军蒋燕红蒋来红
申请人 ：
安徽帝显电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省马鞍山市郑蒲港新区姥桥镇联合路广纳标准化厂房13#厂房
代理机构 ：
北京和联顺知识产权代理有限公司
代理人 ：
李照
优先权 ：
CN202020792130.4
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/458 C23C16/04 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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