一种导流器及等离子化学气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种导流器及等离子化学气相沉积设备，涉及等离子化学气相沉积技术领域，以减少导流器的边缘连接部与其对应的螺钉震动摩擦产生的异物量，降低产品的不良率。该导流器与其上方结构件及下方结构件固定连接，用于将其上方结构件处的气体导流至其下方结构件上，包括边缘连接部和中部导流部，边缘连接部用于与上方结构件螺接，中部导流部对应上方结构件的气体沉积孔设置，中部导流部的下表面开设有紧固孔，紧固孔用于配合安装柱形紧固件，以将下方结构件固定在中部导流部的下方，紧固孔的内侧壁与中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀。本实用新型可用于等离子化学气相沉积镀膜。
基本信息
专利标题 ：
一种导流器及等离子化学气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020631414.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN211972444U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
张强朴范求杨远江李天明贺清柯李杰朱亚王愉袁富军曹丙垒黄鑫鑫
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
申健
优先权 ：
CN202020631414.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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