一种半导体元件蒸发镀膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体元件技术领域，具体为一种半导体元件蒸发镀膜装置，包括柜体，所述柜体内底部开凿有蒸发室，所述蒸发室上端均匀开凿有圆柱中空状蒸发管，所述蒸发室上方中部通过螺栓固定有电机，所述电机上端连接有转动轴，所述转动轴外壁等距焊接有若干固定杆。本实用新型通过电机、转动轴、固定杆和泡沫层的设置，通过开关启动电机带动转动轴旋转，使得固定杆随之转动，将半导体材料插入泡沫层中，再将泡沫层对应固定杆嵌套，使得半导体材料外壁镀膜效果更为均匀，不断增加其外壁与蒸汽接触，有利于提高半导体材料的镀膜均匀，且便于批量进行生产，减少成本，较为实用，适合广泛推广与使用。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体元件蒸发镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020578444.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN211921679U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
徐宏进
申请人 ：
扬州国润半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市扬州高新技术产业开发区华钢路8号1
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
李朦
优先权 ：
CN202020578444.4
主分类号 ：
C23C14/26
IPC分类号 ：
C23C14/26 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/26
电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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