一种微发光二极管转移装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造领域，具体涉及一种微发光二极管转移装置，其包括基板，所述基板的第一表面设置有呈阵列式排列的多个拾取头，每个所述拾取头内设有有至少一个通气孔，所述通气孔同时靠近所述基板的一侧伸入所述基板，每个拾取头对应至少两个同时贯穿所述拾取头电极，所述电极贯穿部分所述基板，所述拾取头包括在所述基板上依次层叠设置的基底层及弹性缓冲层，所述基板内设置有与所述电极电性连接的测试电路，所述基板的第二表面设置有连通所述通气孔的气压控制装置，通过缓冲垫与微发光二极管接触，可以避免转移过程中对其产生应力集中，保证产品良率。
基本信息
专利标题 ：
一种微发光二极管转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020303824.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
CN211265425U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
江仁杰钟光韦伍凯义杨然翔沈佳辉
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
广州正明知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成姗
优先权 ：
CN202020303824.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L27/15
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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