一种BMS开关拓扑电路
授权
摘要
本实用新型涉及电池管理技术领域，具体为一种BMS开关拓扑电路，电路包括B+端、B‑端、P+端、P‑端和控制芯片，所述B+端和所述P+端分别位于一导线的两端，所述B‑端和所述P‑端分别位于另一导线的两端，所述B+端和所述P+端之间串联有放电开关和充电开关，且所述控制芯片用于控制所述放电开关和充电开关的开合，所述B+端和B‑端之间连接有用于充放电的电池组，所述B+端与所述P+端之间还连接有用于为所述电池组充电的DC/DC电源。该BMS开关拓扑电路，利用两个N型MOS管作为电路的放电开关和充电开关，且两个N型MOS管串联在B+端和P+之间，防止出现电池长期浮充时浅充浅放的现象，节约成本，制作简便。
基本信息
专利标题 ：
一种BMS开关拓扑电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020287259.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211377659U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
黄斌郅海兵
申请人 ：
上海恩阶电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区奉城镇新奉公路2013号3幢3150室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020287259.X
主分类号 ：
H02J7/00
IPC分类号 ：
H02J7/00 H01M10/42
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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