集成多功能半导体器件可靠性测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种集成多功能半导体器件可靠性测试装置，其包括：用于承载待测试半导体器件的载物台，以及，密封测试腔；所述载物台与制热及制冷机构连接，且所述载物台被封装于所述密封测试腔内，所述密封测试腔的腔壁上还设有一个以上气体接口、一个以上测试机构接口和一个以上探针接口，所述气体接口用于与外部的气体供给设备或负压发生设备连通，所述测试机构接口用于与外部的测试设备连接，所述探针接口用于活动连接测试探针，所述测试探针的测试端能够通过探针接口进入密封测试腔并到达所需的测试位置。籍由本实用新型能够对半导体电子器件、发光器件等的可靠性等进行实时、直观、快速、准确的测试。
基本信息
专利标题 ：
集成多功能半导体器件可靠性测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020281800.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN212031653U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
张晓东魏星张宝顺
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202020281800.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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