成像像素
授权
摘要
本公开提供一种成像像素，该成像像素具有高动态范围，可包括响应于入射光而生成电荷的光电二极管。来自光电二极管的电荷可耦接到电压源，并且可被丢弃或转移到诸如存储二极管的电荷存储区。在丢弃电荷和积聚电荷之间交替进行能够减轻闪烁。当电荷存储区中的生成的电荷超过第一电荷电平时，电荷可通过第一晶体管溢出到第一存储电容器。当生成的电荷超过比第一电荷电平更高的第二电荷电平时，电荷可通过第二晶体管溢出。另选地，通过第二晶体管溢出的电荷可耦接到电压源，并且可被排出或转移到第二存储电容器以用于后续读出。将更多溢出电荷转送到电压源可能会增加像素的动态范围。
基本信息
专利标题 ：
成像像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020267367.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN211457239U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
T·格蒂斯
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琳
优先权 ：
CN202020267367.0
主分类号 ：
H04N5/369
IPC分类号 ：
H04N5/369 H04N5/378 H04N5/355
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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