一种旋转磁控溅射阴极的导电结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种旋转磁控溅射阴极的导电结构,包括:导电件和固定件,所述导电结构的转轴处设置有具有开口的固定部,导电件从所述固定部的其中一个开口伸入并从所述固定部的另一个开口伸出,以与所述转轴接触,所述导电件通过所述固定件限位于所述固定部。如此,能够实现导电件与转轴的直接接触,进而增大导电件与转轴的导电面积。

基本信息
专利标题 :
一种旋转磁控溅射阴极的导电结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020217053.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-27
授权号 :
CN211420300U
授权日 :
2020-09-04
发明人 :
王伟卢成
申请人 :
成都国泰真空设备有限公司
申请人地址 :
四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科林西路618号
代理机构 :
成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
廖曾
优先权 :
CN202020217053.X
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-02-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20220119
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 四川锦成国泰真空设备有限公司
变更后权利人 : 成都国泰真空设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 610000 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科林西路618号
变更后权利人 : 610000 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科林西路618号
2021-07-16 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20210706
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 王伟
变更后权利人 : 四川锦成国泰真空设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 628017 四川省广元市昭化区卫子镇府顺街059号
变更后权利人 : 610000 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科林西路618号
2021-03-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20210224
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 成都国泰真空设备有限公司
变更后权利人 : 王伟
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 611130 四川省成都市温江区成都海峡两岸科技产业开发园科林西路618号
变更后权利人 : 628017 四川省广元市昭化区卫子镇府顺街059号
2020-09-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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