一种功率半导体模块结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率半导体模块结构。该功率半导体模块结构包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层；所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体模块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020183263.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-19
授权号 ：
CN211150546U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
洪思忠胡羽中
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202020183263.1
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L25/07 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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