一种纳米弧源推进装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种纳米弧源推进装置，包括安装基体，所述安装基体内设置有磁场源、阴极体和推进装置，所述阴极体包括带有作为阴极的靶材和用于固定靶材的靶材安装座，所述靶材安装座的两侧设置有滑轨，所述安装基体的内壁上设置有供所述滑轨滑动的凹槽，所述推进装置设置所述阴极体的一侧，所述推进装置推动所述阴极体在安装基体的凹槽内滑动。本实用新型的纳米弧源推进装置，通过设置推进装置带动靶材移动，改变靶材端面在磁场源内的相对位置，保证在电镀的过程中，靶材消耗后，靶材端面相对于磁场源的位置不发生改变，保证电镀效果的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米弧源推进装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020182350.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-18
授权号 ：
CN211814631U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
张建坡
申请人 ：
超微中程纳米科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区兴浦路333号现代工业坊4号厂房2楼E单元
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张荣
优先权 ：
CN202020182350.5
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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