一种红外焦平面阵列电路
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供一种红外焦平面阵列电路,包括若干SKIM电路、积分电路、栅极输入帧间歇旁路控制信号ALT_EN的若干第一NMOS管,各SKIM电路均包括MEMS像元RA、栅极输入盲元偏置电压GSK的第一PMOS管、栅极输入像元偏置电压GFID的第二NMOS管、栅极输入帧间歇旁路控制信号的反向信号ALT_ENB的第三NMOS管,在各SKIM电路中,第一PMOS管的源极通过盲元电阻RB连接电源,第一PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极电连接,第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极电连接,第三NMOS管的源极通过MEMS像元RA接地,各第一PMOS管的漏极和各第二NMOS管的漏极均与积分电路负输入端电连接,各第一NMOS管与各SKIM电路一一对应,各第一NMOS管的漏极与对应SKIM电路的第三NMOS管的源极电连接,各第一NMOS管的源极通过一个参考元电阻RREF接地。

基本信息
专利标题 :
一种红外焦平面阵列电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020130960.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-20
授权号 :
CN211651859U
授权日 :
2020-10-09
发明人 :
李凯黄晟
申请人 :
武汉微智芯科技有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区软件园东路1号软件产业4.1期A1栋14层11号
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
秦曼妮
优先权 :
CN202020130960.0
主分类号 :
G01J5/34
IPC分类号 :
G01J5/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/34
用电容器
法律状态
2021-02-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G01J 5/34
登记生效日 : 20210129
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 武汉微智芯科技有限公司
变更后权利人 : 武汉高芯科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区软件园东路1号软件产业4.1期A1栋14层11号
变更后权利人 : 430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
2020-10-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332