一种ESD防护器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种ESD防护器件结构，包括P型衬底（11）、第一N型掩埋层（21）至第二N型掩埋层（22）、第一P型外延层（31）至第四P型外延层（34）、第一N阱扩散区（41）至第三N阱扩散区（43）、第一P+扩散区（51）至第七P+扩散区（57）、以及第一N+扩散区（61）至第八N+扩散区（68）。本实用新型结构简单，可在正负耐压的I/O管脚上应用。
基本信息
专利标题 ：
一种ESD防护器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020119964.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN211295101U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
高耿辉李德第马田华
申请人 ：
厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区软件园二期观日路48号701单元
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
钱莉
优先权 ：
CN202020119964.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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