一种双位多靶离子束沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开一种双位多靶离子束沉积装置，包括机架、真空镀膜室、激光器、主离子源、辅离子源、旋转靶座和基片架，真空镀膜室装设于机架上，主离子源、旋转靶座和基片架均设于真空镀膜室内，基片架夹设有基片，主离子源和旋转靶座均为两个，一个旋转靶座上安装有四种不同的靶材，基片架的中心线与两旋转靶座的中心线相互重叠，两主离子源分设于基片架的两侧，主离子源的发射口对准旋转靶座，辅离子源设置于真空镀膜室下方，辅离子源的发射口对准基片，真空镀膜室设有石英窗，激光器发出的激光束穿过石英窗射入靶材上。本实用新型能同时镀两种材料，形成合金材料，能实现新型理想的功能材料，提高镀膜质量，提高沉积效率。
基本信息
专利标题 ：
一种双位多靶离子束沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020108027.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211771529U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
王燕丽王昕涛
申请人 ：
东莞市鑫钛极真空科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市中堂镇三涌村鸭片塘
代理机构 ：
东莞众业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何恒韬
优先权 ：
CN202020108027.3
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46 C23C14/28 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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