一种用于晶体生长的铱金坩埚
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摘要
本实用新型公开了一种用于晶体生长的铱金坩埚，是通过在铱金坩埚侧壁极易出现变形的地方增加一种加强筋从而增加铱金坩埚侧壁的强度，以及对铱金坩埚的外表面喷涂一种致密的耐高温保护涂层，将铱金坩埚的外表面包裹起来，从而阻止铱金挥发和逸散到环境大气中，达到降低铱金坩埚变形的目的。该实用新型铱金坩埚用来生长熔点超过2000℃的LYSO晶体，晶体生长持续时间为15天，经过多次生长晶体后，铱金坩埚表面无明显的铱金挥发和明显的变形现象，保护涂层没有出现脱落和开裂的现象，晶体产业化生产比较稳定，铱金坩埚可以反复使用周期达到20次以上，从而有效的降低晶体产业化生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶体生长的铱金坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020061602.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN211595845U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
丁言国叶崇志丁祖兵陈凯
申请人 ：
上海新漫晶体材料科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1611号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020061602.9
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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