一种光电探测器及其使用方法

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摘要

本申请公开了一种光电探测器及其使用方法，涉及光通信集成器件领域，该光电探测器包括：入射波导用于传播信号光；硅层上设有锗吸收区，锗吸收区用于探测信号光，并将信号光转换为电信号；聚焦型器件用于将入射波导的信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，信号光经过聚焦型器件到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度。该使用方法包括：信号光由入射波导进入聚焦型器件；聚焦型器件将信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，并使信号光到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度；锗吸收区将信号光转换为电信号，本申请，不仅可提高光电探测器的饱和吸收功率，使光电转换时不会出现信号畸变，还可提高器件的响应度。

基本信息

专利标题：

一种光电探测器及其使用方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112531066A

申请号：

CN202011595658.3

公开（公告）日：

2021-03-19

申请日：

2020-12-29

授权号：

CN112531066B

授权日：

2022-04-01

发明人：

陈代高肖希王磊胡晓张宇光余少华

申请人：

武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

代理机构：

武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

李斯

优先权：

CN202011595658.3

主分类号：

H01L31/09

IPC分类号：

H01L31/09 H01L31/0232