非挥发性存储器装置的制造方法
公开
摘要
本发明提供了一种非挥发性存储器装置的制造方法。此方法包括形成沟槽穿过牺牲层且延伸至基板中，填入第一绝缘材料于沟槽中，以及通过注入工艺将掺质注入于第一绝缘材料中。之后，部分地移除第一绝缘材料，以形成第一凹口于牺牲层之间。第一凹口的最低点低于基板的顶表面。此方法包括填入第二绝缘材料于第一凹口中，以及移除牺牲层，以形成第二凹口相邻于第二绝缘材料。此方法包括形成第一多晶硅层于第二凹口中，以及依序形成介电层及第二多晶硅层于第一多晶硅层上。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613776A
申请号 ：
CN202011580103.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴建贤林俊宏蔡高财蔡耀庭
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王天尧
优先权 ：
CN202011580103.1
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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