一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法
授权
摘要
一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法，包括：前电极、顶电池、背电极，其特点是，前电极为透明导电玻璃层，顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成；还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池，中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成；底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层；背电极为金属电极层。其结构简单，成本低且性能稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112635593A
申请号 ：
CN202011527799.1
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-22
授权号 ：
CN112635593B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
曹宇刘超颖周静祝新运蒋家豪凌同曲鹏
申请人 ：
东北电力大学
申请人地址 ：
吉林省吉林市船营区长春路169号
代理机构 ：
吉林市达利专利事务所
代理人 ：
陈传林
优先权 ：
CN202011527799.1
主分类号 ：
H01L31/0336
IPC分类号 ：
H01L31/0336 H01L31/0392 H01L31/0725 H01L31/18
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0336
申请日 : 20201222
申请日 : 20201222
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
