一种硅片、过程片或电池片中铁元素含量的检测方法
公开
摘要
本发明提供一种硅片、过程片或电池片中铁元素含量的检测方法，所述检测方法包括：检测光照前待测样品的发光性质以及光照后待测样品的发光性质，计算得到所述待测样品中铁元素的含量，利用待测样品中铁元素在光照前后的状态变化导致的发光性质变化来检测待测样品中的铁元素含量，可采用常规设备进行，实现了低成本的检测，且能够针对表面未抛光的过程片和电池片进行检测，应用前景广阔。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片、过程片或电池片中铁元素含量的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628266A
申请号 ：
CN202011474014.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万松博
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN202011474014.9
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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