基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料及其制备方...
公开
摘要
本发明公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料，包括半绝缘的半导体衬底以及依次设于所述半导体衬底上的下层半导体层、半金属层、上层半导体层。本发明还公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线结构，由基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料以及偶极天线组成。基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料无需低温生长，具有高晶体质量，由半导体/半金属之间的界面态以及半金属的价带提供快速弛豫通道，可在1550nm波段实现亚皮秒量级的超快弛豫；基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线可用作1550nm激发的太赫兹光源和太赫兹探测器。
基本信息
专利标题 ：
基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料及其制备方法和光电导天线结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628909A
申请号 ：
CN202011471933.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
芦红张克冬李晨孟亚飞李艺文王枫秋陈延峰
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN202011471933.0
主分类号 ：
H01Q15/00
IPC分类号 ：
H01Q15/00 H01Q1/36 H01Q21/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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