晶圆划片方法
公开
摘要
本发明提供了一种晶圆划片方法，包括：提供一晶圆；执行第一次切割，沿晶圆的厚度方向切割介质层停在衬底靠近金属层的一侧表面，切割处形成第一沟槽；在衬底远离金属层的一侧表面上形成混合键合结构；执行第二次切割，切割混合键合结构停在衬底远离金属层的一侧表面，切割处形成第二沟槽；以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通。通过第一次切割、第二次切割以及以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通，在晶圆厚度方向上逐次、分阶段切割，避免划片过程中的劈裂及损伤芯片；混合键合结构的表面因图形化的光阻层的保护而不被污染及破坏，实现有效的晶圆划片。
基本信息
专利标题 ：
晶圆划片方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628250A
申请号 ：
CN202011452323.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵长林胡胜郭万里
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011452323.6
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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