一种半导体衬底处理装置
公开
摘要
本申请涉及一种RTP的热处理系统及热处理方法，具体包括，提供热处理反应腔室；提供可控的辐射热源；提供支撑组件，用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的衬底，所述支撑组件可对所述衬底进行旋转；提供驱动部件，用于驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底平行的方向产生往复相对运动。本申请通过产生辐射热源组件与半导体衬底之间的往复相对运动，能够获得更均匀的RTP处理效果，并有效解决半导体衬底旋转所产生的半导体衬底表面的环形图案问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体衬底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628270A
申请号 ：
CN202011435862.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱宁炳朴兴雨李河圣熊文娟蒋浩杰崔恒玮李亭亭
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011435862.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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