一种中空纳米管结构硫化钨掺杂硫化钴铜对电极催化剂及其制备...
授权
摘要
本发明公开了一种中空纳米管结构硫化钨掺杂硫化钴铜对电极催化剂（CuCo2S4/WS2），相对于单金属硫化物，该种催化剂拥有更丰富的氧化还原对以及更优异的导电性能，并且掺杂了WS2，提供了大量的活性位点；同时空心结构提供了更大的比表面积以及更多暴露的活性位点，其较大的空隙空间也能有效降低离子迁移阻力，从而导致更优异的电化学性能，将其应用于DSSC的对电极中，光电转化效率达到9.50％，并且在I3−/I−电解质体系中拥有良好的电化学稳定性，在经过1000次连续循环伏安扫描后，光电转化效率仍能保持初始值的88.3%。
基本信息
专利标题 ：
一种中空纳米管结构硫化钨掺杂硫化钴铜对电极催化剂及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112466668A
申请号 ：
CN202011399048.6
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
CN112466668B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
钱兴黄杰杨亚杰
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省泉州市泉港区前黄镇学院路1号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林文弘
优先权 ：
CN202011399048.6
主分类号 ：
H01G9/20
IPC分类号 ：
H01G9/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G9/00
电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法
H01G9/20
光敏器件
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 9/20
申请日 : 20201204
申请日 : 20201204
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
