半导体管芯以及半导体装置的制作方法
公开
摘要
本发明公开一种半导体管芯以及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置的制作方法包括下列步骤。对半导体晶片进行分离制作工艺以形成半导体管芯。分离制作工艺包括第一切割步骤、薄化步骤与第二切割步骤。第一切割步骤对半导体晶片进行蚀刻而于半导体晶片中形成多个第一开口。半导体晶片的一部分位于各第一开口与背表面之间且被薄化步骤移除。各第一开口于薄化步骤之后贯穿半导体晶片。第二切割步骤用以形成多个第二开口。各第二开口贯穿半导体晶片而将半导体管芯互相分离。半导体管芯包括相对的两个第一侧表面与相对的两个第二侧表面。各第一侧表面的粗糙度不同于各第二侧表面的粗糙度。
基本信息
专利标题 ：
半导体管芯以及半导体装置的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582803A
申请号 ：
CN202011398658.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏宇
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011398658.4
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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