半导体结构的形成方法
公开
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括沿第一方向排布第一区和第二区，所述第一区和第二区在所述第一方向上相邻；在所述待刻蚀层上形成牺牲层，所述牺牲层内具有连通的第一导电开口和第一隔断开口，所述第一导电开口位于第一区上，且所述第一隔断开口沿第二方向贯穿第二区上的牺牲层；在所述牺牲层表面形成侧墙膜，所述侧墙膜填充满所述第一隔断开口；在所述侧墙膜上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有第二隔断开口，第二隔断开口沿第二方向贯穿第一区和第二区上的牺牲层，且所述第二区上的第二隔断开口暴露出所述第一隔断开口中的侧墙膜；以所述第一图形化层为掩膜，减薄所述侧墙膜。从而，提高了半导体结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597128A
申请号 ：
CN202011395940.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘睿张冠军黄沙
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011395940.7
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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