一种透明电极结构的Micro-LED阵列及制备方法
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摘要
本发明公开了一种透明电极结构的Micro‑LED阵列及制备方法，该结构主要包括发光像素单元、像素单元深隔离槽、衬底。发光像素单元包括：N型GaN、量子阱有源区、P型GaN、绝缘层、透明电极、N型金属电极、P型金属电极。本发明使用ITO作为透明电极，将其完全覆盖在P型GaN上，将P型金属电极制备在N型GaN上面的ITO上，正向电流通过P型金属电极流向ITO再导入到发光层，避免了由于Micro‑LED的P型金属电极面积占比大对发光效率的影响。由于ITO折射率处于空气与外延材料之间，可以提高出光角度，有助于光的逸出，增加了Micro‑LED阵列的光通量，并使其在相同电流下表现出更高的亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种透明电极结构的Micro-LED阵列及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112885936A
申请号 ：
CN202011385368.6
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
CN112885936B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
郭伟玲陈佳昕李梦梅冯玉霞郭浩
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘萍
优先权 ：
CN202011385368.6
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/42 H01L33/36 H01L33/44 H01L27/15
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20201201
申请日 : 20201201
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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