本发明公开一种并联结构的半导体器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、第一芯片组和第二芯片组，所述第一芯片组、第二芯片组叠置于芯片基板上，所述第二芯片组的下层电极与芯片基板之间通过一金属块电连接，使得第一芯片组、第二芯片组位于环氧封装体厚度方向上的中部；所述第一芯片组的下层电极与第二连接片的上表面之间通过一焊锡层连接，所述第一连接片包括与第一芯片组连接的上搭接端部、与芯片基板连接的下搭接端部和用于连接上搭接端部与下搭接端部的折弯部。本发明充分利用三维空间、增加产品的厚度，实现对大功率芯片的封装的同时，降低芯片的结构应力以及在热应力下发生损伤的风险。