一种细化h-BN粉体的制备工艺
授权
摘要
本发明涉及一种细化h‑BN粉体的制备工艺，在高能球磨的基础上采用硬质颗粒c‑BN切削h‑BN晶粒的方式来细化微米级h‑BN粉体，而c‑BN在高温热压的环境下会转变为h‑BN，进而获得致密度高的h‑BN陶瓷。属于高温结构功能一体化陶瓷的技术领域，可适用于雷达的传递窗、天线罩材料、高温金属熔炼坩埚、热电偶保护管、散热片、核反应堆的结构材料等。本方法制备工艺简单，制备环境要求较低，可实现大规模产业化生产，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。
基本信息
专利标题 ：
一种细化h-BN粉体的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112279223A
申请号 ：
CN202011325360.0
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
CN112279223B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
温广武孙志远王桢
申请人 ：
山东硅纳新材料科技有限公司
申请人地址 ：
山东省淄博市临淄区经济开发区金银谷创业园2号厂房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011325360.0
主分类号 ：
C01B21/064
IPC分类号 ：
C01B21/064
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B21/00
氮；其化合物
C01B21/06
氮与金属、硅或硼的二元化合物
C01B21/064
与硼
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 21/064
申请日 : 20201123
申请日 : 20201123
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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