一种功率模块及其封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及功率模块封装技术领域，具体涉及一种功率模块及其封装方法。本发明的封装方法包括以下步骤：S10：在下衬板上贴装芯片和引线端子，获得下衬板组件；S20：在上衬板上设置第一焊球阵列和第二焊球阵列，获得上衬板组件；S30：将所述上衬板组件倒装于所述下衬板组件上，并使所述第一焊球阵列与所述芯片的正面相连、所述第二焊球阵列与所述下衬板的第一面相连，以使所述引线端子与所述芯片的至少一个电极形成电连接。本发明的封装方法，采用焊球和倒装工艺，有利于降低寄生参数，各引线端子均位于同一平面上，使功率模块的封装结构得到优化，并降低了封装难度，提高了封装的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
一种功率模块及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429910A
申请号 ：
CN202011181886.6
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴小平彭程齐放柯攀汪炼成朱文辉
申请人 ：
湖南国芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202011181886.6
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L21/56 H01L25/00 H01L23/15 H01L23/31 H01L23/367 H01L23/498 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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