耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，包括：提供第一衬底，其内具有贯通的第一通孔；在第一通孔内形成第二衬底；在第一衬底和第二衬底上形成致密的耐腐蚀涂层；对耐腐蚀涂层和第二衬底进行局部加热处理，形成贯穿所述耐腐蚀涂层和第二衬底的第二通孔，并在第二通孔内侧壁形成致密层。本发明方法得到的致密层与第二衬底和耐腐蚀涂层之间的结合力较强，因此，所述致密层在被等离子体轰击时不易被轰击下来形成颗粒污染，因此，有利于降低颗粒污染。
基本信息
专利标题 ：
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496690A
申请号 ：
CN202011167677.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段蛟杨金全陈星建黄允文
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
深圳中创智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
文言
优先权 ：
CN202011167677.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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