双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有依次连接的重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本发明晶体管器件具有很低的VCE饱和电压，降低了功率效能的损失，在器件导通状态下，实现了非常低的导通电压和更快开启，在器件断开状态下，使器件能更快速关断。
基本信息
专利标题 ：
双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497171A
申请号 ：
CN202011162518.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭家铭俞仲威黄国伦张朝宗
申请人 ：
开泰半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202011162518.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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