一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：硅片预清洗；PSG氧化层沉积及高温处理；去除表面的PSG/USG氧化层，用碱液去损伤和制绒，并清洗；PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层；PVD磁控溅射制备透明导电膜；表面形成金属栅线。本发明把P型掺杂的薄膜层前置，可以降低对硅片品质的敏感性，为了消除原有P型非晶硅的缺点，用含氧型P型微晶代替传统P行非晶硅膜层，同时增大能带带隙和提高导电性，传统上成本较低的铸锭单晶方式也可以导入异质结的规模量产，对异质结的持续降本非常有利，同时现有的多晶炉可以经简单改造，形成有效产能，减少设备的投资浪费。
基本信息
专利标题 ：
一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497246A
申请号 ：
CN202011147172.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许志
申请人 ：
福建新峰二维材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011147172.3
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/074 H01L31/18
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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