静电放电保护电路以及半导体电路
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种静电放电保护电路以及半导体电路，用于一半导体元件。半导体元件具有第一漏/源极电极以及第二漏/源极电极，且由深阱包围。静电放电保护电路包括控制电路以及放电电路。控制电路电连接于第一漏/源极电极与电源端之间，具有电连接深阱的控制端，且产生控制信号。放电电路电连接第一漏/源极电极与电源端之间，且受控于控制信号。当于第一漏/源极电极上发生一静电放电事件时，控制电路根据深阱的电位状态以及第一漏/源极电极的电位状态来产生控制信号，且放电电路根据控制信号提供介于第一漏/源极电极与电源端之间的一放电路径。本发明提供的静电放电保护电路不具有已知技术所采用的一电容‑电阻电路，因此占用较小的面积。
基本信息
专利标题 ：
静电放电保护电路以及半导体电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388492A
申请号 ：
CN202011117318.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王裕凯李建兴林昌民
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN202011117318.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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