无掺杂低温热致变VO2粉体材料的制...
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摘要
本发明公开了一种无掺杂低温热致变VO2粉体材料的制备方法，属于纳米VO2制备技术领域。本发明针对现有技术掺杂金属元素降低二氧化钒相变温度的问题，提供了一种无掺杂低温热致变VO2粉体材料的制备方法，包括：将五氧化二钒经还原剂还原，然后经稀释、加入CTAB或PEG‑40、氢氧化钠溶液调节溶液pH，经洗涤、干燥、研磨后，与乙醇混合超声分散，最后采用二段水热，即得。本发明采用“低钒溶液浓度、低氢氧化钠浓度和低沉淀pH”的“三低”措施及CTAB或PEG‑400，形成高分散性前驱体溶液；采用二段水热的方式，未掺杂添加任何元素，制备得到高性能纳米级VO2粉体。
基本信息
专利标题 ：
无掺杂低温热致变VO2粉体材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112209439A
申请号 ：
CN202011110973.2
公开（公告）日 ：
2021-01-12
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN112209439B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
刘波彭穗辛亚男姚洁
申请人 ：
成都先进金属材料产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都市青白江区城厢镇香岛大道1509号（铁路港大厦A区13楼A1301-1311、1319室）
代理机构 ：
成都虹桥专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张小丽
优先权 ：
CN202011110973.2
主分类号 ：
C01G31/02
IPC分类号 ：
C01G31/02 B82Y30/00 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G31/00
钒的化合物
C01G31/02
氧化物
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 31/02
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2021-01-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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