鳍式场效应晶体管的截断工艺方法
公开
摘要
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的截断工艺方法，包括步骤：步骤一、提供形成有多个鳍体和第一间隔区的半导体衬底，形成第一材料层将第一间隔区完全填充并延伸到鳍体的表面上方并形成平坦化的表面；步骤二、形成包括多个第一条形结构以及第二间隔区的第一图形结构；步骤三、在第一条形结构的侧面形成第二侧墙将第一条形结构两侧的鳍体顶部覆盖；步骤四、去除第一条形结构形成以第二侧墙形成的第二图形结构；步骤五、以第二侧墙为掩膜对第一材料层和鳍体进行刻蚀以实现鳍体的截断；步骤六、将第二侧墙和剩余的第一材料层都去除。本发明能降低对光刻机的光刻能力的要求，能在工艺节点缩小时仍然采用工艺节点较大时采用的光刻机进行曝光。
基本信息
专利标题 ：
鳍式场效应晶体管的截断工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334820A
申请号 ：
CN202011069653.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱岩栈陈颖儒刘立尧胡展源
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011069653.7
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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