一种半导体器件的自对准方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体器件的自对准方法，所述自对准方法包括：提供基底，在所述基底上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层中形成有开口，以及在与所述开口相对的所述基底内形成有第一阱区，所述第一阱区具有第一导电类型；形成第二掩膜层，以填充至少部分深度的所述开口并暴露所述第一掩膜层；去除至少部分所述第一掩膜层，以暴露所述第二掩膜层外侧的至少部分基底；以所述第二掩膜层为掩膜，在所述第二掩膜层外侧的所述基底内形成第二阱区，其中，所述第二阱区具有第二导电类型。基于本申请的方法，不存在光刻对偏，设计实现更加可控，减少了光刻次数，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的自对准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334618A
申请号 ：
CN202011051175.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴海平邱凯兵
申请人 ：
比亚迪半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
代理机构 ：
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
姚章国
优先权 ：
CN202011051175.7
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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