一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
基本信息
专利标题 ：
一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112095149A
申请号 ：
CN202010953656.0
公开（公告）日 ：
2020-12-18
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN112095149B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
刘海鹏庄乃锋杨燕端刘梦丽胡晓琳陈新
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林文弘
优先权 ：
CN202010953656.0
主分类号 ：
C30B29/28
IPC分类号 ：
C30B29/28 C30B15/34 C30B33/02 C30B28/02 G02F1/00 G02F1/09
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/28
分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-07-30 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : C30B 29/28
变更事项 : 发明人
变更前 : 刘海鹏 庄乃锋 杨燕端 刘梦丽 胡晓琳 陈新
变更后 : 庄乃锋 刘海鹏 杨燕端 刘梦丽 胡晓琳 陈新
变更事项 : 发明人
变更前 : 刘海鹏 庄乃锋 杨燕端 刘梦丽 胡晓琳 陈新
变更后 : 庄乃锋 刘海鹏 杨燕端 刘梦丽 胡晓琳 陈新
2021-01-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/28
申请日 : 20200911
申请日 : 20200911
2020-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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