一种用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统及其制备方法
授权
摘要
本发明公开一种用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统及其制备方法。该用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统包括多片垂直堆叠并联的硅通孔‑纳米电容混合结构，可以极大增加电容密度和存储容量，从而在拥有较高功率密度的同时，也可以拥有较高的能量密度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112018096A
申请号 ：
CN202010754765.X
公开（公告）日 ：
2020-12-01
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN112018096B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
朱宝陈琳孙清清张卫
申请人 ：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京得信知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟海娟
优先权 ：
CN202010754765.X
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065 H01L21/98 H01L23/522 H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-12-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/065
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2020-12-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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