一种超高纯镉晶体的制备方法
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摘要
本发明公开了一种超高纯镉晶体的制备方法，属于高纯金属材料领域。本发明将原料镉在漏斗中熔料，以使其内的氧化渣料残留在漏斗中，从而使沿漏斗漏孔滴入或流入坩埚中的镉熔体无需经扒渣处理，即可光亮无氧化；另外，采用垂直提拉法对坩埚中的镉熔体进行提纯，所得晶体位错密度低、光学均匀性高、结构稳定，表面光亮无氧化，显金属本色，无需后续处理，可根据客户需要拉制不同产品的大小。
基本信息
专利标题 ：
一种超高纯镉晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111893559A
申请号 ：
CN202010630158.2
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2020-07-02
授权号 ：
CN111893559B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
黄杰杰朱刘何志达李清宇
申请人 ：
清远先导材料有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN202010630158.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/02 C22B17/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20200702
申请日 : 20200702
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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