单层转移集成电路的热提取
授权
摘要
一种使用背侧接近工艺制造的FET IC结构，该FET IC结构减轻或消除了导热性问题。在一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径，并且因此传导至在完整IC的“顶部”处可从外部接近的热垫。在利用导热处理晶片的一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET。充分地形成热通孔以与处理晶片以及与器件上部结构的常规金属化层热接触，所述常规金属化层中的至少一个与横向热路径热接触。在一些实施方式中，横向热路径可以使用伪栅极，所述伪栅极被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径。
基本信息
专利标题 ：
单层转移集成电路的热提取
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112424929A
申请号 ：
CN201980048105.5
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN112424929B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
保罗·阿比吉特理查德·詹姆斯·道林山田浩史阿拉因·迪瓦莱罗纳德·尤金·里迪
申请人 ：
派赛公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
高岩
优先权 ：
CN201980048105.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/522 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20190715
申请日 : 20190715
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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