工艺诱导的偏离特性化
授权
摘要
一种系统包含控制器，所述控制器具有一或多个处理器及经配置以存储一或多组程序指令的存储器。所述一或多个处理器经配置以执行所述一或多组程序指令。所述一或多组程序指令经配置以引起所述一或多个处理器：对半导体晶片图应用滤波；将所述经滤波半导体晶片图分离成多个裸片；针对所述多个裸片产生一组裸片比较统计数据；通过将至少一个检验阈值应用于所述组裸片比较统计数据而产生至少一个偏离图；及检测所述至少一个偏离图内的至少一个偏离。
基本信息
专利标题 ：
工艺诱导的偏离特性化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111937129A
申请号 ：
CN201980023479.1
公开（公告）日 ：
2020-11-13
申请日 ：
2019-03-08
授权号 ：
CN111937129B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
海伦·刘A·A·昂张国庆
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丽楠
优先权 ：
CN201980023479.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190308
申请日 : 20190308
2020-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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