一种基于优化刻槽技术的器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于优化刻槽技术的器件，器件的材料为硅，器件上设有深槽，深槽的内腔侧壁已经BOE溶液清洗，深槽内沉积二氧化硅；未经BOE溶液清洗的内腔侧壁的粗糙程度大于清洗后的内腔侧壁的粗糙程度，未经BOE溶液清洗的内腔侧壁上生长有氧化层，BOE溶液将氧化层漂去；未生长氧化层的器件已被刻槽，器件上的深槽经等离子体干法刻蚀而成型，器件在刻蚀深槽前表面还设有硬掩模，在刻蚀的过程中器件与硬掩模均被消耗；在硬掩模被刻蚀前，硬掩模上的光刻胶全部被除去，硬掩模在光刻胶全部被除去前已经被刻蚀消耗掉部分。本实用新型所提及的器件的可以将深槽刻蚀引入的漏电控制在较低的水平。
基本信息
专利标题 ：
一种基于优化刻槽技术的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922465523.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210837654U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
徐远
申请人 ：
苏州矽航半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区竹园路209号
代理机构 ：
佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王储
优先权 ：
CN201922465523.4
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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