一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉,生长炉用电极包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉;该生长炉用电极通过多层绝缘,使加热器在移动过程中不会与隔热层接触,防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。

基本信息
专利标题 :
一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922371683.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-26
授权号 :
CN211734533U
授权日 :
2020-10-23
发明人 :
李辉穆童郑锴秦英谡张熠
申请人 :
南京晶升能源设备有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
代理机构 :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
张弛
优先权 :
CN201922371683.2
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-08-06 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 35/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 南京晶升能源设备有限公司
变更后 : 南京晶升装备股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 211113 江苏省南京市经济技术开发区恒发路30-1号
变更后 : 211113 江苏省南京市南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧
2020-10-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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