一种非晶铁芯霍尔传感器
授权
摘要

本实用新型公开了一种非晶铁芯霍尔传感器,包括外壳体,所述外壳体的上表面设置有控制电路板容置层,所述控制电路板容置层的内部上表面中间位置处开设第一通孔,且控制电路板容置层的内部上表面位于第一通孔的外围位置处设置有非晶铁芯体容置腔,所述非晶铁芯体容置腔的内部固定安装有非晶铁芯体。本实用新型涉及传感器技术领域,该非晶铁芯霍尔传感器,通过控制电路板的上表面中间位置处开设有第二通孔,且外壳体的上表面固定设置有顶盖,顶盖的上表面中间位置处开设有第三通孔,非晶铁芯体的一侧表面开设有气隙,使该传感器高带宽,具有良好的精度和良好的线性度,可以低偏置温漂和低温度自动温漂补偿。

基本信息
专利标题 :
一种非晶铁芯霍尔传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922152421.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-05
授权号 :
CN211505847U
授权日 :
2020-09-15
发明人 :
涂根谋李瑞军范宝盛
申请人 :
深圳市超磁动力科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区沙井街道民主社区石围街49-1一层
代理机构 :
北京惠智天成知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘莹莹
优先权 :
CN201922152421.7
主分类号 :
G01R33/07
IPC分类号 :
G01R33/07  G01R1/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2020-09-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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