一种大功率高压二极管的加工装置
授权
摘要
本实用新型提供一种大功率高压二极管的加工装置,包括底板,支杆,安装块,紧固块,顶板,防护簧,调节防护二极管固定架结构,二极管加工测试架结构,二极管加工线路固定架结构,气缸,压板,夹块,防护垫,放置盒和防滑垫,所述的支杆分别螺栓连接在底板上表面的左右两侧;所述的安装块螺栓连接在支杆的上部;所述的紧固块螺栓连接在安装块的上部;所述的顶板螺栓连接在紧固块的上部。本实用新型支撑板,支撑杆,螺栓螺母,防护板,支撑块和夹持板的设置,有利于对需要加工的二极管进行固定;紧固壳,防护片,插接孔,连接片,灯管和分类盒的设置,有利于对加工后的二极管进行检测并分类放置。
基本信息
专利标题 :
一种大功率高压二极管的加工装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922127824.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-03
授权号 :
CN211670175U
授权日 :
2020-10-13
发明人 :
窦玉岭
申请人 :
天津芯斯通达电子科技有限公司
申请人地址 :
天津市南开区渭水道3号(南开科技园进取园科技园)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201922127824.6
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-10-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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