一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本实用新型提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922021085.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN211785911U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
陈中圆杨晓亮李翠陈艳芳张西子孙帅李金元
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐国文
优先权 ：
CN201922021085.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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