一种功率半导体模块和功率半导体器件

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种功率半导体模块和功率半导体器件。该模块包括：上桥IGBT芯片、下桥IGBT芯片、第一DBC和DBC；所述第一DBC中第一金属层包括相互绝缘的第一子金属层和第二子金属层；所述上桥IGBT芯片的集电极与所述第一子金属层连接，所述下桥IGBT芯片的集电极与所述第二子金属层连接；所述第一子金属层与直流回路正极电连接；所述上桥IGBT芯片的发射极与所述第二子金属层电连接；所述下桥IGBT芯片的发射极与所述第二DBC中第三金属层的第一绑定焊点电连接；所述第三金属层的第二绑定焊点与直流回路负极电连接；所述第一绑定焊点和所述第二绑定焊点位于所述第一DBC的相对两侧。该模块能够减小内部寄生电感，提升器件的性能。

基本信息

专利标题：

一种功率半导体模块和功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922010344.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-20

授权号：

CN210516724U

授权日：

2020-05-12

发明人：

新居良英刘乐刘莉飞王庆凯高崎哲苟文辉

申请人：

上海大郡动力控制技术有限公司

申请人地址：

上海市闵行区浦江镇新骏环路189号C105室188号2号楼1楼

代理机构：

北京品源专利代理有限公司

代理人：

孟金喆

优先权：

CN201922010344.1

主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H01L25/16 H01L23/15

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

H01L25/16

包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的

法律状态

2021-08-20 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 25/16
登记生效日 : 20210809
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海大郡动力控制技术有限公司
变更后权利人 : 正海集团有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201112 上海市闵行区浦江镇新骏环路189号C105室188号2号楼1楼
变更后权利人 : 264006 山东省烟台市中国(山东)自由贸易试验区烟台片区烟台开发区珠江路66号正海大厦33层

2020-05-12 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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