一种振膜结构以及头戴式耳机
授权
摘要
本实用新型属于耳机技术领域，尤其涉及一种振膜结构以及头戴式耳机。振膜结构包括：球顶部以及折环部，折环部包括绕球顶部周向设置的第一R环、绕第一R环周向设置的第二R环以及绕第二R环周向设置的第三R环，第一R环、第二R环和第三R环上任意一点的切平面均位于振膜结构的同一侧，且过球顶部中心位置的任意剖切面与第一R环、第二R环和第三R环相交且分别形成第一相交弧线、第二相交弧线以及第三相交弧线，第一相交弧线、第二相交弧线以及第三相交弧线所对应的圆心不共点设置。本实用新型通过将折环部设置成三段，使得振膜结构在工作中声音的失真明显降低；低音的声音效明显加强，变得清晰有力。
基本信息
专利标题 ：
一种振膜结构以及头戴式耳机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921729078.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN210579202U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
洪家冬王丽
申请人 ：
深圳市豪恩声学股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区规划四路6号
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭雨桐
优先权 ：
CN201921729078.1
主分类号 ：
H04R7/14
IPC分类号 ：
H04R7/14 H04R9/02 H04R1/10
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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