低EMI常通型SiCJFET的驱动电路
授权
摘要
本实用新型提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本实用新型实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。
基本信息
专利标题 ：
低EMI常通型SiCJFET的驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921728642.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
CN210518098U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
励晔黄飞明赵文遐贺洁朱勤为
申请人 ：
无锡硅动力微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区珠江路51号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921728642.8
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M1/44 H03K17/687 H03K17/16
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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